第646章 两位顶尖的芯片技术大牛开始通力合作!

王老院士也走了过来,这位一向严谨持重的老科学家,

此刻脸上也带着压抑不住的兴奋:

“同伟同志,罗斯塔姆教授这套方法,确实让我们大开眼界。

它不是简单地告诉我们该怎么做,而是给了我们一个‘地图’和‘罗盘’,

让我们知道在复杂的工艺迷宫里,

哪些路是死胡同,

哪些路虽然曲折但能通往目的地,

更重要的是,告诉我们当前的位置和方向。

这三个月,团队学到的东西,比过去三年都多!”

祁同伟的目光再次投向观测窗内那些冰冷的设备。

此刻,在他眼中,那些设备不再仅仅是机器,

而是正在执行一套由数学和智慧编织的、精妙绝伦的“交响乐总谱”的乐手。

而罗斯塔姆,就是那位写出了总谱的天才作曲家。

“教授,你觉得,最大的风险点在哪里?”

祁同伟问了一个最关键的问题。

罗斯塔姆收敛了笑容,神情重新变得专注而严肃:

“最大的不确定性,依然来自‘模型与现实的鸿沟’。

我的模型虽然尽可能考虑了工艺波动,

但现实世界的随机扰动和未知耦合效应,

总是比模型更复杂。

有几个地方我特别关注:

一是浅沟槽隔离(STI)的应力对临近晶体管阈值电压的影响,我们的模型做了一定简化;

二是金属前介质(PMD)的平坦化工艺,对后续金属层良率的影响;

还有就是……最先进制程都绕不开的,随机掺杂波动(RDF)和线边缘粗糙度(LER),

在1.2微米节点虽然不像更先进节点那么致命,但依然可能导致单个晶体管特性的离散。

我们的设计加入了一定的冗余和抗波动设计,但效果需要实测检验。”

他说的每一个术语,都指向芯片制造中最深奥、最难以精确控制的物理领域。

祁同伟认真听着,大脑飞速运转,与他共享着那份源自超前知识储备的洞察。

“所以,最终的审判,不在仿真里,在硅片上。”

祁同伟缓缓道。

“是的。在硅片上。”