第646章 两位顶尖的芯片技术大牛开始通力合作!

罗斯塔姆重重地点了点头,目光重新投向观测窗,

仿佛要穿透这厚重的玻璃和数千公里的距离,看到那些正在产线上流转的晶圆。

“但我相信我们的方向是对的。

数学不会说谎,如果推导过程严谨,边界条件设定合理,那么现实应该不会偏离太远。”

这既是对科学的信仰,也是对自身工作的信心。

祁同伟拍了拍他的肩膀:

“走,去指挥中心。我们需要盯住每一个反馈数据。

未来一周,这里就是我们的前线指挥部。”

......

“汉芯”研发中心顶层的联合指挥大厅,此时已然进入战时状态。

巨大的弧形主屏幕上,分割显示着多个画面:

合作晶圆厂远程共享的有限生产状态信息(经过处理,不涉密)、汉东本地试验线的实时监控、各种数据分析和仿真平台的界面,

以及一个不断跳动的、以小时为单位的倒计时。

数十名来自设计、工艺、整合、测试、可靠性等各个部门的骨干工程师和专家,

坐在各自的终端前,

神情专注,偶尔低声交流。

空气中弥漫着浓烈的咖啡味和一种全神贯注的“嗡嗡”声。

祁同伟和罗斯塔姆的到来,引起了一阵轻微的骚动,但很快平息。

大家都知道,最关键的时刻,真正的指挥官就位了。

祁同伟没有发表任何动员讲话,只是径直走到中央指挥台前,

与先期在此坐镇的赵立春、高育良等人简短交换了眼神,

点了点头,便坐了下来。

罗斯塔姆则被王老院士拉到旁边的专家席,那里有数块可以实时书写和调取数据的高清显示屏。

时间,在令人窒息的专注中缓慢流逝。

第一批中间测试数据在流片开始36小时后传回。

是关于硅片清洗和初始氧化层质量的报告。

数据一切正常,符合预期。

指挥大厅里响起一阵轻微的、放松的呼气声。

但这仅仅是漫长马拉松的第一步。

紧接着,是光刻对准(Overlay)精度数据、第一层多晶硅栅(Poly Gate)刻蚀的关键尺寸(CD)均匀性数据、浅掺杂漏(LDD)注入的剖面分布模拟结果……